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光电二管又称光敏二管。它的管壳上备有一个玻璃窗口,以便于接受光照。其特点是,当光线照射于它的PN结时,可以成对地产生自由电子和空穴,使半导体中少数载流子的浓度提高,在一定的反向偏置电压作用下,使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。
在二管加有正向电压,当电压值较小时,电流小;当电压**过0.6V时,电流开始按指数规律,通常称此为二管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二管处于完全导通状态,通常称此电压为二管的导通电压,用符号UD表示 。
当二管两端的正向电压**过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V
对于锗二管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二管加有反向电压,当电压值较小时,电流小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时,电流开始急剧,称之为反向击穿,称此电压为二管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
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