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二管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 它具有单向导电性能， 即给二管阳和阴加上正向电压时，二管导通。 当给阳和阴加上反向电压时，二管截止。 因此，二管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开 。
对于锗二管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二管加有反向电压，当电压值较小时，电流小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时，电流开始急剧，称之为反向击穿，称此电压为二管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

在二管加有正向电压，当电压值较小时，电流小；当电压**过0.6V时，电流开始按指数规律，通常称此为二管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二管处于完全导通状态，通常称此电压为二管的导通电压，用符号UD表示 。

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。

当二管两端的正向电压**过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V
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